[发明专利]一种氧化铜掺杂无铅压电陶瓷及其低温烧结方法有效
申请号: | 201610134235.9 | 申请日: | 2016-03-09 |
公开(公告)号: | CN105777120B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 翟继卫;张杨;沈波;李玲玉;刘百慧 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/64;H01L41/187 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种氧化铜掺杂无铅压电陶瓷及其低温烧结方法,原料组成为(1‑a)(K0.5Na0.5)0.95Li0.05Nb0.93Sb0.07‑aMZrO3‑bCuO,其中a=0.01~0.05,b=0.1‑2,本发明采用三步烧结的制备方法,加入氧化铜之后,可在500℃低温条件下烧结成瓷,并获得良好的压电性能,得到一种新型的低温烧结无铅压电陶瓷材料,其压电常数d33在烧结温区内变化不大,温度稳定性较好。该方法工艺简单,适用于低温共烧工艺,是一种具有发展前景的可用于多层电容器等领域的无铅压电陶瓷材料。 | ||
搜索关键词: | 无铅压电陶瓷 低温烧结 氧化铜 烧结 掺杂 多层电容器 温度稳定性 低温共烧 低温条件 烧结成瓷 压电常数 压电性能 原料组成 可用 制备 | ||
【主权项】:
1.一种氧化铜掺杂无铅压电陶瓷,其特征在于,原料组成为(1‑a)(K0.5Na0.5)0.95Li0.05Nb0.93Sb0.07‑aMZrO3‑bCuO,其中a=0.01~0.05,b=0.1‑2,M为金属Ca、Ba或Sr。
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