[发明专利]一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201610134916.5 | 申请日: | 2016-03-09 |
公开(公告)号: | CN105633015B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 沈世妃;李正勋;宋泳珍;房毛毛;候建新 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置,以减少彩膜工艺的加工工序,并进一步减少显示装置的制造工序,节省生产成本和时间。阵列基板的制造方法包括在衬底基板上形成薄膜晶体管;通过半色调掩模构图工艺,在薄膜晶体管的前侧形成具有过孔的钝化层,及在所述钝化层的前侧形成隔垫物。采用该方法制造阵列基板,无需在彩膜基板背侧制备隔垫物,减少了彩膜工艺的加工工序,进而减少了显示装置的制备工序,节省了生产成本和加工时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上形成薄膜晶体管;通过半色调掩模构图工艺,在薄膜晶体管的前侧形成具有过孔的钝化层,及在所述钝化层的前侧形成隔垫物;所述制造方法还包括:在所述隔垫物的前侧形成覆盖所述隔垫物表面的保护层;在形成所述保护层的同时,形成与所述保护层材质相同的像素电极,所述像素电极穿过所述过孔与所述薄膜晶体管的源极连接;其中,所述通过半色调掩模构图工艺,在薄膜晶体管的前侧形成具有过孔的钝化层,及在所述钝化层的前侧形成隔垫物,具体包括:在薄膜晶体管前侧形成钝化层薄膜;在钝化层薄膜前侧形成光刻胶;使用具有全透光区、半透光区和遮光区的掩模板对基板进行曝光,其中,全透光区与基板预形成过孔的区域位置相对,遮光区与基板预形成隔垫物的区域位置相对;对曝光后的基板进行显影处理;对显影处理后的基板进行刻蚀和灰化处理,形成具有过孔的钝化层及在所述钝化层的前侧形成隔垫物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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