[发明专利]薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610136349.7 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107181469B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 黄河;克里夫·德劳利;朱继光;李海艇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/58 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法，该薄膜体声波谐振器包括：下部介电层，第一空腔结构设置于下部介电层中，第一空腔结构横截面形状为多边形，且其至少有一对边互相平行；上部介电层，第二空腔结构设置于上部介电层中，其中，第二空腔结构和第一空腔结构相对；声波谐振复合薄膜，设置于第一空腔结构和第二空腔结构之间，连续地隔离第一空腔结构和第二空腔结构，第一空腔结构与第二空腔结构上下重叠部分形成一个共同内周，该共同内周在声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，该多边形不包含任何一对相对而平行的直线段。本发明的薄膜体声波谐振器包括连续的声波谐振复合薄膜，其不具有任何孔，具有更高的谐振性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：下部介电层，第一空腔结构设置于所述下部介电层中；上部介电层，所述上部介电层位于所述下部介电层的上方，第二空腔结构设置于所述上部介电层中；声波谐振复合薄膜，设置于所述第一空腔结构和所述第二空腔结构之间，连续地隔离所述第一空腔结构和所述第二空腔结构，所述声波谐振复合薄膜包括底部电极层、压电薄膜以及顶部电极层，所述压电薄膜设置于所述底部电极层和所述顶部电极层之间，其中，所述第一空腔结构与所述第二空腔结构上下重叠部分形成一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，该多边形不包含任何一对相对而平行的直线段。
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