[发明专利]一种纳米晶体/聚合物固溶体的制备方法在审
申请号: | 201610136707.4 | 申请日: | 2016-03-10 |
公开(公告)号: | CN107056974A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 张加涛;赵宇恒;魏启璘;邸秋梅 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | C08F120/14 | 分类号: | C08F120/14;C08F265/06;C08F2/44;C08K3/08;C08K3/30;C08G77/04 |
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地址: | 100081 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种新型纳米晶体/聚合物固溶体材料制备方法。其中纳米晶体可以是贵金属纳米晶(Au,Ag等),半导体纳米晶(如II‑VI族半导体纳米晶)以及金属/半导体异质结构的纳米晶体,本发明通过纳米晶与聚合物单体(如MMA,DMS等)间的原位聚合反应制成固溶体材料。在该纳米晶体/聚合物固溶体材料中,利用聚合物单体与量子点表面的油酸油胺键进行离子交换反应,避免了纳米晶在聚合物中的团聚,进而实现无机纳米晶在聚合物固溶体的制备。制备过程在空气中室温下进行,成本低,不需要苛刻的环境条件,过程绿色、环保,并且可以实现从厘米级到米级材料的制备,实现了纳米晶材料的实际应用,成品可广泛应用于太阳能捕获、建筑、发光器件等许多领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 晶体 聚合物 固溶体 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米晶体/聚合物固溶体的制备方法,具体由无机的金属纳米晶体、金属掺杂半导体纳米晶体以及金属/半导体异质结构的纳米晶体,在聚合物(如PDMS,PMMA)中均匀复合形成块状或薄膜状固溶体;其特征在于,纳米晶体表面与聚合物前驱体进行离子交换,使纳米晶表面被聚合物前驱体稳定,并通过聚合物前驱体在纳米晶表面发生原位聚合反应,实现均匀分散的纳米晶体/聚合物固溶体的合成;制备的聚合物固溶体尺寸从厘米到米级达到宏观尺寸,形状可任意调控,且避免了纳米晶体的团聚,能够保持纳米晶体的纳米效应。
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