[发明专利]高良率整流芯片封装结构

摘要

本发明一种高良率整流芯片封装结构，包括位于环氧封装体内的第一引线条、第二引线条、连接片和整流芯片，该第一引线条一端的支撑区连接到所述整流芯片下表面；连接片的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口；所述第二焊接面均匀分布有若干个第一通孔，一第二通孔位于第二折弯处、第二焊接面、中间区上，此第二通孔横跨第二折弯处并延伸到第二焊接面、中间区边缘区域；所述连接片的第一焊接面高度低于所述第二焊接面高度，所述第一折弯处、第二折弯处与中间区夹角为125°~145°。本发明避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效、短路，提高了产品电性和可靠性大大提高了良率，也防止焊料在焊接面边缘溢出，减小了接触电阻和响应时间，降低了功耗。

主权项

 一种高良率整流芯片封装结构，包括位于环氧封装体内的第一引线条（1）、第二引线条（2）、连接片（3）和整流芯片（4），该第一引线条（1）一端的支撑区（11）连接到所述整流芯片（4）下表面，该整流芯片（4）下表面通过焊锡膏与该第一引线条（1）的支撑区（11）电连接，第一引线条（1）另一端作为器件电流传输的引脚区（5）；位于所述第二引线条（2）一端的焊接区（21）与连接片（3）的第一焊接面（31）连接，该第二引线条（2）另一端作为器件电流传输的引脚区（5）；所述连接片（3）第二焊接面（32）与整流芯片（4）上表面通过焊锡膏电连接；其特征在于：所述连接片（3）的第一焊接面（31）和第二焊接面（32）之间具有一中间区（33），此中间区（33）与第一焊接面（31）和第二焊接面（32）之间分别设有第一折弯处（34）和第二折弯处（35），从而使得中间区（33）高度高于第一焊接面（31）和第二焊接面（32），所述连接片（3）的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口（6）；所述第二焊接面（32）均匀分布有若干个第一通孔（7），一第二通孔（9）位于第二折弯处（35）、第二焊接面（32）、中间区（33）上，此第二通孔（9）横跨第二折弯处（35）并延伸到第二焊接面（32）、中间区（33）边缘区域；所述第一折弯处（34）、第二折弯处（35）与中间区（33）夹角为125°~145°；所述第一折弯处（34）、第二折弯处（35）与中间区（33）夹角为125°~145°；所述连接片（3）的第一焊接面（31）高度低于所述第二焊接面（32）高度。