[发明专利]一种键合晶圆结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610140208.2 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105742197B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 胡思平;朱继锋;董金文;严孟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种键合晶圆结构及其制备方法，通过于UTS结构上方保留挡光金属层来加强UTS结构的可靠性，以防止UTS结构上方阻挡层的不够带来的可靠性问题，无需增加额外的光罩即可实现，为UTS结构在三维集成的更广泛应用打下基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 键合晶圆 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种键合晶圆结构，其特征在于，包括：键合晶圆，所述键合晶圆设置有互不接触的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层和所述第二金属层在同一水平面上的垂直投影互不重叠或仅部分重叠；超薄堆叠(UTS)结构，设置于所述键合晶圆中以将所述第一金属层和所述第二金属层均予以电连接；阻挡层，设置于所述键合晶圆之上，且将所述超薄堆叠(UTS)结构的上表面予以覆盖；第一氧化层，设置于所述阻挡层之上；挡光金属层，设置于所述第一氧化层之上，所述挡光金属层在水平面上的垂直投影完全覆盖所述超薄堆叠(UTS)结构在水平面上的垂直投影；第二氧化层，设置于所述第一氧化层之上且将所述挡光金属层予以包覆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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