[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板在审
| 申请号： | 201610140444.4 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105789320A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 姚江波 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板，该金属氧化物薄膜晶体管包括：一玻璃基板、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物有源层、刻蚀阻挡层，该刻蚀阻挡层设置有源极通孔以及漏极通孔；扩散阻挡层，其包括源极阻挡层和漏极阻挡层，该源极阻挡层和漏极阻挡层分别设置于源极通孔以及漏极通中，并与该金属氧化物有源层接触，所述扩散阻挡层中掺杂有预定浓度的硼离子和/或磷离子；源极，其设置于所述源极阻挡层上；漏极，其设置于所述漏极阻挡层上。本发明提高了扩散阻挡层对源极以及漏极的铜离子扩散的阻挡能力，可以防止在高温过程源极以及漏极的铜离子扩散到金属氧化物有源层影响该金属氧化物有源层的导电性能力。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：一玻璃基板；栅极，其设置于玻璃基板上；栅极绝缘层，其设置于栅极以及玻璃基板上；金属氧化物有源层，其设置于栅极绝缘层上；刻蚀阻挡层，其设置于金属氧化物有源层以及栅极绝缘层上，该刻蚀阻挡层设置有源极通孔以及漏极通孔；扩散阻挡层，其包括源极阻挡层和漏极阻挡层，该源极阻挡层和漏极阻挡层分别设置于源极通孔以及漏极通中，并与该金属氧化物有源层接触，所述扩散阻挡层中掺杂有预定浓度的硼离子和/或磷离子；源极，其设置于所述源极阻挡层上；漏极，其设置于所述漏极阻挡层上。
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