[发明专利]多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201610140453.3 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105655407A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 刘政;李小龙;皇甫鲁江 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，在保证沟道长度的基础上，可降低薄膜晶体管的尺寸。该多晶硅薄膜晶体管包括设置在衬底上的源电极和漏电极、有源层、栅绝缘层以及栅电极；其中，位于所述源电极和所述漏电极之间的所述有源层的长度大于所述源电极和所述漏电极之间的直线距离。用于对沟道长度具有较高要求的多晶硅薄膜晶体管以及对尺寸要求较高的多晶硅薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜晶体管，包括设置在衬底上的源电极和漏电极、有源层、栅绝缘层以及栅电极；其特征在于，位于所述源电极和所述漏电极之间的所述有源层的长度大于所述源电极和所述漏电极之间的直线距离。
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