[发明专利]电阻式记忆胞的写入方法及电阻式内存有效
| 申请号： | 201610140468.X | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN106816170B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 陈达;王炳琨;廖绍憬;廖培享 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式记忆胞的写入方法及电阻式内存。电阻式记忆胞的写入方法包括下列步骤。提供参考电压至电阻式记忆胞的位线。提供第一电压至电阻式记忆胞的字符线，且提供第二电压至电阻式记忆胞的源极线。第一电压不随着第二电压的逐次调高而提高其电压值。藉此，在进行电阻式记忆胞的写入方法(如，重置操作)时，使得字符线的电压不随着源极线的电压的逐次调高而提高其电压值，藉以延展重置操作的电压窗口，减少电阻式记忆胞因输入电压过高而发生互补切换现象的机率。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 记忆 写入 方法 内存 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式记忆胞的写入方法，其特征在于，包括：提供参考电压至电阻式记忆胞的位线；以及提供第一电压至所述电阻式记忆胞的字符线，且提供第二电压至所述电阻式记忆胞的源极线，其中当所述电阻式记忆胞在进行重置操作时，所述第一电压不随着所述第二电压的逐次调高而提高其电压值。
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