[发明专利]一种利用CO2激光裂解聚硅氧烷材料制备SiOC陶瓷涂层的方法

摘要

本发明涉及一种利用CO₂激光裂解聚硅氧烷材料制备SiOC陶瓷涂层的方法。该方法首先制备聚硅氧烷材料的混合溶液，采用刷涂或喷涂法在铁基金属表面制备涂层A；在惰性气体保护下，使用连续高能可控激光扫描涂层A，使其发生反应，生成SiOC陶瓷涂层。本发明通过激光裂解聚硅氧烷材料制备陶瓷涂层，其制备周期短，陶瓷表面光滑且孔隙率低，所得陶瓷涂层具有良好的防腐耐磨特性。本发明为解决单纯铁基金属材料难以在某些苛刻工况下可靠服役提供了新的方法。

主权项

一种利用CO2激光裂解聚硅氧烷材料制备SiOC陶瓷涂层的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将聚硅氧烷材料在二甲苯中超声分散10～30min，从而制备得到聚硅氧烷材料混合溶液；其中步骤(1)中，所述聚硅氧烷材料为分子量为770～13900，相对密度为0.918～0.977的聚硅氧烷；或者，步骤(1)中，所述聚硅氧烷材料由分子量为770～13900，相对密度为0.918～0.977的聚硅氧烷和颗粒直径不大于75μm的Ti粉组成，并且，所述聚硅氧烷和所述Ti粉的质量比为1:2～3:1；(2)采用刷涂或喷涂法将其均匀涂覆在铁基金属表面；(3)室温干燥1～3h后，获得涂层A；(4)在惰性气体保护下采用连续高能可控激光扫描涂层A，从而在铁基金属表面制备陶瓷涂层，所述激光的输出功率为100～800W。