[发明专利]GaN HEMT器件的制作方法在审
| 申请号： | 201610141454.X | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105742180A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;G03F7/00 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种GaN HEMT器件的制作方法，包括：提供生长衬底并在生长衬底表面涂覆压印胶；将具有纳米图形的压印模板压入压印胶并使压印模板的纳米图形与生长衬底直接接触，以在压印胶上形成与纳米图形相反的压印图形，压印图形为多个凹陷结构；刻蚀露出在凹陷结构内的生长衬底以在生长衬底上形成多个孔洞；去除压印胶，在生长衬底具有孔洞的表面横向生长成核层以及在成核层上形成GaN HEMT器件结构。通过上述方式，本发明能够避免异质外延的横向生长过程中形成孔洞，减少横向生长缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN HEMT器件的制作方法，其特征在于，包括：提供生长衬底并在所述生长衬底表面涂覆压印胶；将具有纳米图形的压印模板压入压印胶并使所述压印模板的纳米图形与所述生长衬底直接接触，以在所述压印胶上形成与所述纳米图形相反的压印图形，所述压印图形为多个凹陷结构；刻蚀露出在所述凹陷结构内的生长衬底以在所述生长衬底上形成多个孔洞；去除所述压印胶，在所述生长衬底具有孔洞的表面横向生长成核层以及在所述成核层上形成GaN HEMT器件结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都海威华芯科技有限公司，未经成都海威华芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610141454.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
