[发明专利]基于脉冲注入的三相开关磁阻电机无位置传感器控制方法在审

专利信息
申请号: 201610143963.6 申请日: 2016-03-14
公开(公告)号: CN105703680A 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 张辑;陈丽安;魏荣宗;陈天翔;彭彦卿;郑雪钦 申请(专利权)人: 厦门理工学院
主分类号: H02P21/18 分类号: H02P21/18;H02P21/24
代理公司: 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 代理人: 何家富
地址: 361000 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及开关磁阻电机无位置传感器控制技术领域,特别地涉及一种基于脉冲注入的三相开关磁阻电机无位置传感器控制方法。本发明提出了一种基于脉冲注入的三相开关磁阻电机无位置传感器控制方法,适用于三相开关磁阻电机的控制,该方法采用对开关磁阻电机非导通相注入脉冲,导通相进行斩波控制,通过电流传感器检测相电流,计算出电流斜率差值,再根据电流斜率差得到三相等效电感,合成电感矢量,最后从电感矢量中提取转子位置信息,进而得到转子转速。本发明结构简单易于实现,计算量大大降低,可靠性和精度高。
搜索关键词: 基于 脉冲 注入 三相 开关 磁阻 电机 位置 传感器 控制 方法
【主权项】:
基于脉冲注入的三相开关磁阻电机无位置传感器控制方法,其特征在于:对开关磁阻电机的非导通相注入脉冲,对导通相进行电流斩波控制,测量各相的相电流,计算出电流斜率差值,通过电流斜率差值得出三相等效电感,合成电感矢量,通过电感矢量估算转子位置角度θ,采用如下公式进行估算<mrow><mi>&theta;</mi><mo>=</mo><mfrac><mn>180</mn><mi>&pi;</mi></mfrac><mfrac><mrow><mi>&theta;</mi><mo>+</mo><mi>&pi;</mi></mrow><msub><mi>N</mi><mi>r</mi></msub></mfrac><mo>=</mo><mfrac><mn>22.5</mn><mi>&pi;</mi></mfrac><mrow><mo>(</mo><msub><mi>&theta;</mi><mn>0</mn></msub><mo>+</mo><mi>&pi;</mi><mo>)</mo></mrow></mrow><mrow><msub><mi>&theta;</mi><mn>0</mn></msub><mo>=</mo><msup><mi>tan</mi><mrow><mo>-</mo><mn>1</mn></mrow></msup><mrow><mo>(</mo><mfrac><msub><mi>L</mi><mi>&beta;</mi></msub><msub><mi>L</mi><mi>&alpha;</mi></msub></mfrac><mo>)</mo></mrow><mo>=</mo><msup><mi>tan</mi><mrow><mo>-</mo><mn>1</mn></mrow></msup><mrow><mo>(</mo><mfrac><mrow><mfrac><msqrt><mn>3</mn></msqrt><mn>2</mn></mfrac><mrow><mo>(</mo><msub><mi>L</mi><mi>b</mi></msub><mo>-</mo><msub><mi>L</mi><mi>c</mi></msub><mo>)</mo></mrow></mrow><mrow><msub><mi>L</mi><mi>a</mi></msub><mo>-</mo><mfrac><mn>1</mn><mn>2</mn></mfrac><mrow><mo>(</mo><msub><mi>L</mi><mi>b</mi></msub><mo>+</mo><msub><mi>L</mi><mi>c</mi></msub><mo>)</mo></mrow></mrow></mfrac><mo>)</mo></mrow></mrow>其中,θ0为电感旋转角度,Nr为转子极数,La、Lb、Lc分别为三相的各相电感。
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