[发明专利]一种少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法在审
| 申请号： | 201610144011.6 | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN105789030A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 谢伟广;王雨 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 裘晖;陈燕娴 |
| 地址： | 510632 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法。该方法包括以下具体步骤：(1)将衬底放入溶剂中超声清洗；(2)取三氧化钼粉末放入干净的陶瓷舟中，陶瓷舟放入管式炉的中间位置，同时将步骤(1)中得到的衬底放入沉积温度为500～700℃的区域；(3)对管式炉进行升温，待达到升华温度后，保温沉积，得少层三氧化钼二维原子晶体。本发明利用物理气相沉积的方法制备三氧化钼二维原子晶体，该方法无需任何催化剂、不需要任何载气，并且有着低成本、制备工艺简单、制备流程无毒、快速高效的优点，而且对外界环境要求不高，可以获得大尺寸、层数可控的三氧化钼二维原子晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 少层三 氧化钼 二维 原子 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法，其特征在于包括以下具体步骤：(1)将衬底放入溶剂中超声清洗；(2)取三氧化钼粉末放入干净的陶瓷舟中，陶瓷舟放入管式炉的中间位置，同时将步骤(1)中得到的衬底放入沉积温度为500～700℃的区域；(3)对管式炉进行升温，待达到升华温度后，保温沉积，得少层三氧化钼二维原子晶体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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