[发明专利]一种层状MoS2‑SnO2纳米复合材料的制备方法

摘要

本发明提供了一种层状MoS2‑SnO2纳米复合材料的制备方法，将二硫化钼粉末加入分层溶液中进行分层反应，形成混合液；在混合溶液中加入氧化剂进行氧化插层反应，然后搅拌下加入SnO2纳米粉末，继续搅拌均匀后得到插层MoS2‑SnO2混合粉末；将插层MoS2‑SnO2混合粉末与爆炸剂混合，进行爆炸反应，冷却至室温后取出爆炸反应产物，即得到层状MoS2‑SnO2纳米复合材料。本发明利用芳香族硫醚的亲硫特性，降低二硫化钼原料粉末的层间范德华力，结合爆炸冲击对其进行插层剥离。本发明制备的产物为具有高载流子迁移率的层状二硫化钼与SnO2纳米颗粒复合的纳米材料，且SnO2纳米颗粒均匀附着在单层二硫化钼片层上，提升了其催化加氢和润滑性能，大大扩展了二硫化钼的应用范围。

主权项

一种层状MoS2‑SnO2纳米复合材料的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：步骤一，将二硫化钼粉末加入分层溶液中进行分层反应，形成混合液；所述的分层溶液为芳香族硫醚的乙醇溶液；所述的芳香族硫醚为聚苯硫醚或芳香族二胺单体硫醚，芳香族硫醚的乙醇溶液的质量浓度为10％～60％；所述的分层反应的具体过程为：将二硫化钼粉末研磨至200目过筛，将二硫化钼粉末加入芳香族硫醚的乙醇溶液中，加热至30～50℃并搅拌5～12h，形成混合液；步骤二，在混合液中加入氧化剂进行氧化插层反应，然后搅拌下加入SnO2纳米粉末，继续搅拌均匀后得到插层MoS2‑SnO2混合粉末；所述的氧化剂为高锰酸钾；所述的步骤二的具体过程为：在混合液中加入KMnO4粉末，水浴加热至50～90℃并搅拌2～5h，在搅拌下加入SnO2纳米粉末，继续搅拌1～3h，过滤并烘干，得到插层MoS2‑SnO2混合粉末；步骤三，将插层MoS2‑SnO2混合粉末与爆炸剂混合，进行爆炸反应，冷却至室温后取出爆炸反应产物，即得到层状MoS2‑SnO2纳米复合材料；所述的爆炸剂为苦味酸；所述的爆炸反应的具体过程为：将插层MoS2‑SnO2混合粉末与爆炸剂混合均匀，装入高压反应釜中，将高压反应釜抽真空并通入氩气，加热至350～600℃发生爆炸反应，随炉冷却至室温后取出爆炸反应物，即得到层状MoS2‑SnO2纳米复合材料。