[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201610146499.6 | 申请日: | 2016-03-15 |
公开(公告)号: | CN106887473A | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 刘书岩;王建峻 | 申请(专利权)人: | 茂迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 马廷昭 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法,该太阳能电池包含一基板、一第一掺杂层、一第二掺杂层、一钝化层及一合金层。该基板具有相对应的一第一表面与一第二表面。该第一掺杂层设置于该第一表面上,并包含一低掺杂区及一高掺杂区。该第二掺杂层设置于该第二表面上,并与该第一掺杂层的掺杂类型不同。该钝化层设置于该第一掺杂层上,并具有一钝化层开口,以裸露出该高掺杂区。该合金层设置于裸露的该高掺杂区上,其中该高掺杂区的宽度大于该合金层的宽度,且该高掺杂区的深度大于该低掺杂区的深度。本发明可确保合金层形成的时候在欧姆接触区域的边缘不会发生射极层分流的现象,并避免合金层形成的时候在射极层剖面的边缘发生射极层分流的现象。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,其包含:一基板,具有相对应的一第一表面与一第二表面;一第一掺杂层,设置于该第一表面上,并包含一低掺杂区及一高掺杂区;一第二掺杂层,设置于该第二表面上,并与该第一掺杂层的掺杂类型不同;一第一钝化层,设置于该第一掺杂层上,并具有一第一钝化层开口,以裸露出该高掺杂区的至少一部分区域;以及一合金层,设置于裸露的该高掺杂区上,其中该高掺杂区的宽度大于该合金层的宽度,且该高掺杂区的深度大于该低掺杂区的深度。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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