[发明专利]一种在铝衬底上外延生长的AlGaN薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610147664.X | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN105719966B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/203;C23C14/28 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 秦维 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新技术开*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在铝衬底上外延生长的AlGaN薄膜及其制备方法，包括以下步骤：1)取Al衬底，在Al衬底表面退火处理；2)外延生长AlGaN薄膜：将步骤1)处理后的Al衬底，以Al(111)面为外延面，利用激光烧蚀GaN靶材外延生长AlGaN薄膜。该方法利用了Al(111)的优势：Al(111)衬底与AlGaN(0002)之间晶格失配较小，介于8.9％‑11.4％，有利于AlGaN材料的形核和生长。该方法通过使Al衬底中的Al原子扩散到GaN的晶格中，可简单、高效地制备高质量的不同Al组分的AlGaN薄膜。生长的AlGaN薄膜可在紫外探测器、紫外LED等制造领域发挥重要的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 外延 生长 algan 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在铝衬底上外延生长AlGaN薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）取Al衬底，在Al衬底表面进行退火处理；2）外延生长AlGaN薄膜：将步骤1）处理后的Al衬底，以Al（111）面为外延面，利用激光烧蚀GaN靶材在Al衬底上外延生长AlGaN薄膜；以Al（111）面偏（100）面方向0.2‑0.5°为外延面；晶体外延取向关系为：AlGaN的（0002）面平行于Al（111）面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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