[发明专利]横向扩散场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610148100.8 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105679831B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向扩散场效应晶体管，包括：在第一导电类型掺杂的漂移区中形成有具有一横向间隔的第二导电类型掺杂的第一埋层，横向间隔用于增加源漏电流的通路；在横向间隔底部形成有第二导电类型掺杂的第二埋层，第二埋层用于增加对横向间隔顶部的所述漂移区的耗尽，并使横向间隔顶部的漂移区在漏端电压的初始阶段被充分耗尽、防止初始击穿。本发明还公开了一种横向扩散场效应晶体管的制造方法。本发明能防止初始击穿且不显著影响器件的击穿电压和导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向扩散场效应晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型掺杂的漂移区，形成于第二导电类型半导体衬底中；第二导电类型掺杂的沟道区，形成于所述半导体衬底中；所述漂移区由深阱组成，所述沟道区形成于所述漂移区中；在所述漂移区中形成有第二导电类型掺杂的第一埋层且所述第一埋层延伸到所述沟道区的底部，所述第一埋层具有一横向间隔，所述横向间隔位于所述沟道区侧面的所述漂移区底部且所述横向间隔将所述沟道区的侧面和所述漂移区形成的横向结露出，在所述横向间隔处延伸到所述沟道区底部的所述第一埋层的侧面和所述漂移区形成横向结，所述横向间隔用于增加源漏电流的通路；在所述横向间隔底部的所述漂移区中形成有第二导电类型掺杂的第二埋层，所述第二埋层用于增加对所述横向间隔顶部的所述漂移区的耗尽，并使所述横向间隔顶部的所述漂移区能在漏端电压的初始阶段被充分耗尽、防止初始击穿。
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