[发明专利]深紫外光发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201610148356.9 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107195744B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 邱国铭;周孟松;郭浩中;刘哲宇 | 申请（专利权）人： | 光宝光电(常州)有限公司;光宝科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/44;H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军;许荣文 |
| 地址： | 213166 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种深紫外光发光二极管芯片，包含一个发光单元、一个电极单元、一层电子阻挡层及一层光学层；该电子阻挡层设置于该发光单元的一层多重量子阱层与一层p型氮化铝镓层间，该光学层形成于该发光单元上且折射率介于1.0至2.3，其材料选自二氧化硅、二氧化铪，或前述的一组合。另外，本发明深紫外光发光二极管芯片的另一个态样，还包含一个位于该发光单元上的透光基板，该光学层形成于该透光基板的另一个表面且折射率介于1.0与该透光基板的折射率间。此外，本发明也提供包含前述深紫外光发光二极管芯片的封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种深紫外光发光二极管芯片，包含：一个透光基板、一个发光单元、一个电极单元、一层电子阻挡层，及一层光学层；该发光单元包括由该透光基板的一个表面依序形成的一层缓冲层、一层n型氮化铝镓层、一层多重量子井层，与一层p型氮化铝镓层；该电极单元包括一个设置于该n型氮化铝镓层上的第一电极，与一个设置于该p型氮化铝镓层上的第二电极；其特征在于：该电子阻挡层设置于该多重量子井层与该p型氮化铝镓层间，且该光学层形成于该透光基板相对于该发光单元的另一个表面，该光学层的材料是选自二氧化硅，或二氧化硅及二氧化铪的一组合，且折射率介于1.0与该透光基板的折射率间。
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