[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610149265.7 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105789404A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 卫婷;齐胜利;沈燕;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述GaN基发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层，P型层上设有从P型层延伸到N型层的台阶，P型层上依次设有电流阻挡层、电流扩展层、P型电极，N型层上设有N型电极，钝化层覆盖在N型层、电流扩展层、以及台阶的侧壁上，GaN基发光二极管芯片还包括设置在台阶的侧壁和钝化层之间的光学增透膜，光学增透膜的折射率介于GaN的折射率和钝化层的折射率之间。本发明通过在台阶的侧壁和钝化层之间设置光学增透膜，光学增透膜和钝化层组成双层增透膜，可以增大光的出射范围，提高LED芯片的亮度和光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管芯片，所述GaN基发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述P型层上设有从所述P型层延伸到所述N型层的台阶，所述P型层上依次设有电流阻挡层、电流扩展层、P型电极，所述N型层上设有N型电极，钝化层覆盖在所述N型层、所述电流扩展层、以及所述台阶的侧壁上，其特征在于，所述GaN基发光二极管芯片还包括设置在所述台阶的侧壁和所述钝化层之间的光学增透膜，所述光学增透膜的折射率介于GaN的折射率和所述钝化层的折射率之间。
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