[发明专利]存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置有效
| 申请号： | 201610149646.5 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107204205B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 陈国荣 | 申请（专利权）人： | 群联电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。本方法包括：为每一实体抹除单元设定读取干扰门槛值；根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值；以及根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作。基于上述，本发明提出根据实体抹除单元的抹除次数动态地调整读取干扰门槛值，借以有效地降低实体抹除单元磨损的机率或读取干扰发生的机率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 管理 方法 控制电路 单元 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器管理方法，其特征在于，用于一可复写式非挥发性存储器模块，其中该可复写式非挥发性存储器模块具有多个实体抹除单元，该些实体抹除单元之中的每一个实体抹除单元具有多个实体程序化单元，该存储器管理方法包括：为每一该些实体抹除单元设定一读取干扰门槛值；根据该可复写式非挥发性存储器模块的一状态信息，调整一第一实体抹除单元的读取干扰门槛值；以及根据该第一实体抹除单元的该读取干扰门槛值，执行一预防读取干扰操作。
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