[发明专利]一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极套印网版图形结构在审
| 申请号： | 201610149923.2 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105599431A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 麻晓明;卢庆国 | 申请（专利权）人： | 上海艾力克新能源有限公司 |
| 主分类号： | B41F15/36 | 分类号： | B41F15/36;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201400 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极套印网版图形结构，包括DP1图形和DP2图形，所述DP1图形包括副栅线、特征图形以及Mark点，所述DP2图形包括主栅线、副栅线、Mark点、特征图形以及边框线。DP1图形和DP2图形都设计了Mark点和特征图形，用于对二次印刷对准状态进行观察判断和调整优化，大大降低了DP1电极与DP2电极发生位错的概率，提升了二次印刷技术在量产中的对位精度，减少了遮光面积，提升了电池的短路电流Isc，从而使太阳电池的综合性能得到提升；只在DP2图形中设计了主栅线，在DP1图形中没有设计主栅线，这样的设计大大降低了正银浆料的使用量，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 二次 印刷 正面 电极 套印 版图 结构 | ||
【主权项】：
一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极套印网版图形结构，其特征在于，包括DP1图形和DP2图形，所述DP1图形包括副栅线、特征图形以及Mark点，所述DP2图形包括主栅线、副栅线、Mark点、特征图形以及边框线。
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