[发明专利]一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路

摘要

本发明提供一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路，所述电池管理芯片电路包括高压多路选通器MUX、电压基准电路、Sigma‑delta ADC（包括模拟调制器以及数字滤波器）、SPI通讯电路、以及功能控制电路与电压值寄存器。所述电池管理芯片电路为基于SOI高压工艺集成，尤其是所述电池管理芯片电路采用的高压MOS管为基于SOI工艺的高压MOS器件单元。另外，本发明重点突出了高压多路选通器MUX与Sigma‑delta ADC的接口电路‑斩波电路的设计，以阐述本发明采用SOI工艺设计与流片时会带来电路设计难度降低以及版图面积减小等诸多优势。

主权项

1.一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路，其特征在于，所述电池管理芯片电路基于SOI高压工艺集成，所述电池管理芯片电路采用的高压MOS管为基于SOI工艺的高压MOS器件单元，所述基于SOI工艺的高压MOS器件单元包括：SOI衬底，包括硅衬底、绝缘层以及顶层硅；所述顶层硅中形成有NMOS器件或/及PMOS器件；所述NMOS器件形成于所述顶层硅的P阱区域，包括N+型源区、N+型漏区、栅极结构、P+型体区，所述P+型体区与N+型源区之间采用浅沟道结构隔离；所述PMOS器件形成于所述顶层硅的N阱区域，包括P+型源区、P+型漏区、栅极结构、N+型体区，所述N+型体区与P+型源区之间采用浅沟道结构隔离，所述基于SOI工艺的MOS器件单元之间采用深沟槽结构隔离，所述深沟槽结构包括至少贯穿所述顶层硅的深沟槽以及填充于所述深沟槽内的绝缘材料。