[发明专利]用于在半导体构件的层结构中制造多孔性结构的方法和具有所述多孔性结构元件的MEMS构件有效
| 申请号： | 201610153341.1 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN105984841B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | F·舍恩;B·格尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于在半导体构件的层结构中制造多孔性结构的方法和具有所述多孔性结构元件的MEMS构件。提出一种用于在半导体构件的层结构中实现极轻的但在机械方面不易弯曲的并且热隔离的结构元件的可能性，其在无高温过程步骤的情况下也能够实现。为此，首先在所述层结构(100)的表面区域中产生模板(20)，其方式是，在分散介质中施加至少一种胶体，随后取出所述分散介质。在此，各个胶体粒子(21)自身布置在模板(20)中。然后，在所述模板(20)的区域中沉积至少一种涂覆材料(23)。在此，所述各个胶体粒子(21)至少部分地以所述涂覆材料(23)包封。随后，移除所述胶体材料(21)，从而在所述模板(20)的区域中仅仅残留由涂覆材料(23)组成的连续包封。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 构件 结构 制造 多孔 方法 有所 元件 mems | ||
【主权项】：
一种用于在半导体构件的层结构中制造多孔性结构的方法，所述方法包括以下方法步骤：通过在分散介质中施加至少一种胶体并且随后取出所述分散介质来在所述层结构(100)的表面区域中产生模板(20)，其中，各个胶体粒子(21)自身布置在模板(20)中，在所述模板(20)的区域中沉积至少一种涂覆材料(23)，其中，所述各个胶体粒子(21)至少部分地以所述涂覆材料(23)包封，移除所述胶体材料(21)，从而在所述模板(20)的区域中仅仅残留由涂覆材料(23)构成的连续包封。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司，未经罗伯特·博世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610153341.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钼粉加工后氢气回收冷凝装置
- 下一篇：一种MEMS器件及其制作方法和电子装置
