[发明专利]一种微互连凸点制备方法及装置有效
申请号: | 201610154091.3 | 申请日: | 2016-03-17 |
公开(公告)号: | CN105655260B | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 董伟;赵宁;康世薇;魏宇婷;钟毅;许富民 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司21212 | 代理人: | 李馨 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种微互连凸点制备装置,包括液滴喷射装置和凸点形成装置,所述液滴喷射装置包括腔体、坩埚、压电陶瓷、传动杆和加热带等,坩埚的底部设有中心孔,坩埚底部还连有设有喷射孔的薄片,机械泵和扩散泵安装在腔体侧部且与坩埚及腔体相连;其特征在于坩埚通过三维运动控制器与腔体上部相连,腔体中部两侧还设有腔体温度控制器;凸点形成装置包括用于承接液滴喷射装置喷射出的液滴的基板和基板承载部。本发明还公开了应用上述装置制备微互连凸点的方法。本发明可制备均一液滴且频率可控,可实现液滴成分均匀、尺寸精度高,具有结构简单实用性强,制备工艺温度低,避免基板损烧或发生变形,可自动化生产等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 互连 制备 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种微互连凸点制备装置,包括液滴喷射装置和凸点形成装置(3),所述液滴喷射装置包括用于液滴喷射的腔体(1)、设置在所述腔体(1)上部的坩埚(2)和与设置在所述坩埚(2)顶部的压电陶瓷(22)相连的且深入所述坩埚(2)及其中熔体内部的传动杆(23),所述坩埚(2)的底部设有中心孔,所述坩埚(2)底部还连有与所述中心孔相通的薄片(27),所述薄片(27)上设有喷射孔(271),所述坩埚(2)外侧设有加热带(26),所述坩埚(2)顶部开有坩埚进气口(24)和坩埚排气口(25),所述腔体(1)一侧开有腔体进气口(14)和腔体排气口(13),机械泵(11)与扩散泵(12)安装在所述腔体(1)侧部且与所述坩埚(2)及所述腔体(1)相连;其特征在于:所述坩埚(2)通过三维运动控制器(21)与所述腔体(1)上部相连,所述腔体中部两侧还设有维持腔体(1)温度的腔体温度控制器(15);所述传动杆(23)底部的直径小于所述中心孔的直径,所述喷射孔(271)全部位于所述传动杆(23)底部的正下方;所述凸点形成装置(3)包括用于承接所述液滴喷射装置喷射出的液滴(4)的基板(32)和用于放置所述基板(32)且对所述基板(32)施加超声振动的基板承载部;所述喷射孔(271)与所述基板(32)之间的垂直距离D与所述基板(32)的温度T之间满足以下关系,T≥100+(D‑5)×5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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