[发明专利]可探测苦味酸的发光晶体材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n的制备方法有效
| 申请号： | 201610154690.5 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN105622956B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 张金方;刘宇航;张弛 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00;C09K11/06 |
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| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可探测苦味酸的发光晶体材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n的制备方法。将硫化氢通入到钨酸的氨水溶液中反应，经抽滤、干燥制得四硫代钨酸铵；四硫代钨酸铵和硫氰酸亚铜加入六甲基磷酰三胺溶剂制得溶液；将异烟酸加入制得的溶液中搅拌溶解，制得红色澄清溶液后，调节溶液pH为8～10；向此红色澄清溶液中加入六水合硝酸铽的溶液，经过结晶、过滤、洗涤、干燥即得到发光晶体材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n。本发明的优点为获得一种可高效探测苦味酸的发光晶体材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 探测 苦味酸 发光 晶体 材料 ws sub cu scn tb ina hmpa 制备 方法 | ||
【主权项】：
可探测苦味酸的发光晶体材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n的制备方法，包括以下步骤：1.1将硫化氢气体通入到钨酸氨水溶液中反应，经抽滤、干燥制得四硫代钨酸铵；1.2将硫氰酸亚铜和1.1中制得的四硫代钨酸铵加入到六甲基磷酰三胺搅拌数分钟制得溶液；1.3将异烟酸加入到步骤1.2中制得的溶液中搅拌至全部溶解，得到红色澄清溶液，调节溶液pH；1.4将六水合硝酸铽的溶液加入步骤1.3中制得的红色溶液中，经过结晶、过滤、洗涤、干燥即得到发光晶体材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n。
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