[发明专利]一种铜钼分离电位浮选工艺在审
申请号: | 201610155078.X | 申请日: | 2016-03-18 |
公开(公告)号: | CN106583059A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 张引;王兴华;邵松松;周文彬 | 申请(专利权)人: | 中国黄金集团内蒙古矿业有限公司 |
主分类号: | B03D1/02 | 分类号: | B03D1/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 021300 内蒙古自治区*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本发明公开了一种铜钼分离电位浮选工艺,包括原矿破碎、磨矿步骤、混合浮选步骤、分离浮选步骤,在分离浮选步骤中,矿浆pH值保持在10~11,且控制粗选矿浆电位在-510mv~-530mv,然后,添加180ml/min的聚丙烯酰胺改性物质作为铜抑制剂,将分离粗选泡沫钼品位控制在9~12%,铜品位控制在11.2~15%。采用电位浮选,将粗选电位控制在一定范围内,可实现最大程度的抑制铜矿物,并稳定相应作业的泡沫品位,不仅可以节省大量硫氢化钠用量,对钼的回收率的提高,同时降低铜钼精矿中得互含,效果也非常显著。 | ||
搜索关键词: | 一种 分离 电位 浮选 工艺 | ||
【主权项】:
一种铜钼分离电位浮选工艺,包括原矿破碎、磨矿步骤、混合浮选步骤、分离浮选步骤,其特征在于,在分离浮选步骤中,矿浆pH值保持在10~11,且控制粗选矿浆电位在‑510mv~‑530mv,然后,添加180ml/min的聚丙烯酰胺改性物质作为铜抑制剂,将分离粗选泡沫钼品位控制在9~12%,铜品位控制在11.2~15%。
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