[发明专利]一种去除石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201610155520.9 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN105719953A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王炜;谭化兵;刘海滨;秦喜超 | 申请（专利权）人： | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;C01B31/04;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 张秋云 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市惠山经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除石墨烯的方法，是采用特定波长的紫外光，在特定环境中，处理石墨烯薄膜，将指定区域的石墨烯去除掉，适用于单层或多层石墨烯薄膜的去除或图案化工艺。本发明的有益效果为：1、本发明采用特定波长的紫外光，在特定环境中刻蚀处理石墨烯薄膜，相比现有工艺，方法简单，效率高，成本低；2、本发明可以实现高精度的石墨烯图案化制作，且可选用的掩膜范围广，可以实现低成本掩膜，适合于石墨烯薄膜在不同领域不同行业的加工应用；3、本发明采用的处理方法容易应用到大规模工业化生产中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种去除石墨烯的方法，其特征在于，在特定环境中，采用特定波长的紫外光照射的方式去除石墨烯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
