[发明专利]AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次包括一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型AlxGa1‑xN层、n型AlxGa1‑xN层、i型Aly1Ga1‑y1N层、n型AlyGa1‑yN组分渐变层、i型Aly2Ga1‑y2N层、p型GaN层，在n型AlxGa1‑xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x满足0.5≤x≤1，所述y1满足0.4≤y1＜1，所述y2满足0.1≤y2＜0.5，所述y1与y2满足y2＜y1＜x，所述组分y沿自下而上方向逐渐降低，且满足y2≤y≤y1。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器，一维光子晶体层中带有周期的抗反射涂层，可以降低日盲紫外雪崩光电探测器日盲区的光反射，提高探测器的性能。

主权项

一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次为：一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型AlxGa1‑xN层、n型AlxGa1‑xN层、i型Aly1Ga1‑y1N层、n型AlyGa1‑yN组分渐变层、i型Aly2Ga1‑y2N层、p型GaN层，在n型AlxGa1‑xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x满足0.5≤x≤1，所述y1满足0.4≤y1＜1，所述y2满足0.1≤y2＜0.5，所述y1与y2满足y2＜y1＜x，所述组分y沿自下而上方向逐渐降低，且满足y2≤y＜y1，其中所述一维光子晶体层拥有19个周期性结构，每一个周期性结构包括SiO2层、Si3N4层、SiO2层，19个周期性结构包括周期层和抗反射涂层，自下而上一维光子晶体层表示为n个抗反射涂层a*[L/2 H L/2]、m个周期层[L/2 H L/2]、1个抗反射涂层b*[L/2 H L/2]，a＝1.04，b＝1.35，n和m代表周期数，1≤n，m＜18，且满足n+m＝18，L代表SiO2层材料厚度λ/4/1.46，H代表Si3N4层材料厚度λ/4/2.01，其中λ满足[1240/(3.4+2.8y1)+30]nm＜λ＜[1240/(3.4+2.8y1)+40]nm。