[发明专利]一种倒装焊芯片的制作方法及裸芯片组件在审
| 申请号： | 201610158122.2 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN107204294A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 周涛;王沛;王强 | 申请（专利权）人： | 联芯科技有限公司;大唐半导体设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 200233 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，公开了一种倒装焊芯片的制作方法及裸芯片组件。本发明中，在已完成金属溅射工艺的裸芯片的预设位置进行金属化层蚀刻；其中，预设位置为裸芯片上待电镀铜柱位置以外的区域；在裸芯片的预设位置覆盖薄膜保护层，并固化薄膜保护层；在待电镀铜柱位置电镀铜柱。通过这种方式，相当于在现有技术中的裸芯片上增加了额外的保护层，以有效的缓解铜柱周边切向应力对铜柱所造成的潜在伤害，从而加强了对倒装焊芯片铜柱的保护，提高了芯片的封装良率及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 芯片 制作方法 组件 | ||
【主权项】：
一种倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：在已完成金属溅射工艺的裸芯片的预设位置进行金属化层蚀刻；其中，所述预设位置为裸芯片上待电镀铜柱位置以外的区域；在所述裸芯片的所述预设位置覆盖薄膜保护层，并固化所述薄膜保护层；在所述待电镀铜柱位置电镀铜柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
