[发明专利]双自由度MEMS压电梁结构在审
| 申请号： | 201610160263.8 | 申请日： | 2016-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN105823904A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 司朝伟;韩国威;赵永梅;宁瑾;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01P15/09 | 分类号： | G01P15/09;G01C19/5656 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双自由度MEMS压电梁结构，包括：一衬底电极，该衬底电极为矩形；一锚点，其制作在衬底电极背面纵向的一侧；一第一压电层，其制作在衬底电极上；一夹层电极，其制作在第一压电层上；一第二压电层，其制作在夹层电极上；一第一上电极，其制作在第二压电层上横向的一侧，其宽度小于第二压电层的二分之一；一第二上电极，其制作在第二压电层上横向的另一侧；一第三上电极，其制作在第二压电层上横向的中间；该第一上电极、第二上电极和第三上电极不接触。本发明具有正交误差小、机电转换效率高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 自由度 mems 压电 结构 | ||
【主权项】：
一种双自由度MEMS压电梁结构，包括：一衬底电极，该衬底电极为矩形；一锚点，其制作在衬底电极背面纵向的一侧；一第一压电层，其制作在衬底电极上；一夹层电极，其制作在第一压电层上；一第二压电层，其制作在夹层电极上；一第一上电极，其制作在第二压电层上横向的一侧，其宽度小于第二压电层的二分之一；一第二上电极，其制作在第二压电层上横向的另一侧；一第三上电极，其制作在第二压电层上横向的中间，该第一上电极、第二上电极和第三上电极不接触。
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