[发明专利]多阈值电压晶体管结构以及形成、配置该结构的方法有效
| 申请号： | 201610162011.9 | 申请日： | 2016-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106024884B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 范淑贞;S·K·卡纳卡萨巴帕西;玉仁祚;山下典洪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/118;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 酆迅;吕世磊 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及替换金属栅极CMOS器件上的稳定的多阈值电压器件。提供了一种用于多电压阈值晶体管结构的技术。在鳍上形成窄沟道和长沟道。在鳍上形成外延层，并且在外延层上形成层间电介质层。鳍上的间隔物限定窄沟道和长沟道。在窄沟道和长沟道中沉积高k电介质材料。在窄沟道和长沟道中的高k电介质材料上沉积金属层。使窄沟道中的高k电介质材料的高度凹陷。从窄沟道和长沟道去除金属层。在窄沟道和长沟道中沉积功函数金属。沉积栅极传导金属以填充窄沟道和长沟道。在结构的顶表面上沉积帽层。 | ||
| 搜索关键词： | 替换 金属 栅极 cmos 器件 稳定 阈值 电压 | ||
【主权项】：
1.一种形成多阈值电压晶体管结构的方法，所述方法包括：/n在鳍上形成至少一个窄沟道和至少一个长沟道，所述鳍沉积在衬底上，其中所述鳍上的间隔物限定所述至少一个窄沟道和所述至少一个长沟道，其中所述鳍上形成有外延层，并且其中所述外延层上形成有层间电介质层；/n在所述至少一个窄沟道和所述至少一个长沟道中沉积高k电介质材料；/n在所述至少一个窄沟道和所述至少一个长沟道中的所述高k电介质材料上沉积金属层；/n在执行用以保护所述至少一个长沟道的保护工艺之后，使所述至少一个窄沟道中的所述高k电介质材料的高度凹陷；/n从所述至少一个窄沟道和所述至少一个长沟道去除所述金属层；/n在所述至少一个窄沟道和所述至少一个长沟道中沉积功函数金属；/n沉积栅极传导金属以填充所述至少一个窄沟道和所述至少一个长沟道；以及/n在所述间隔物、所述层间电介质层、所述功函数金属和所述栅极传导金属的顶表面上沉积帽层。/n
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