[发明专利]WTe2单晶作为低温压力传感器材料的应用

摘要

本发明属于低温压力传感器技术领域，具体为WTe₂单晶作为低温压力传感器材料的应用。本发明利用WTe₂单晶低温下磁阻在不同压力下有着巨大的差值的特点，在低温下作为非常灵敏的压力传感器。实验表明，在低温下，本材料在不同压力下磁阻值有着非常显著的区别。当温度为0.3 K磁场为14.5T时，在0 kbar时磁阻值达到了 125000 %。但是随着压力的增加，磁阻有个明显的下降趋势，当压力达到 23.6 kbar时，磁阻值仅为7470 %。

主权项

 WTe₂单晶作为低温压力传感器材料的应用，其特征在于，具体步骤为：（1）首先，将WTe₂单晶做成电极，使得电流沿着钨连方向流动；（2）然后，将做好电极的WTe₂单晶置入5K以下低温环境中；（3）接着，沿着单晶垂直于钨碲层方向施加强磁场，得到该单晶的磁阻值；（4）在不同压力下重复步骤（1）、步骤（2）、步骤（3），标定不同压力下该样品的磁阻值；（5）最后，利用WTe₂单晶在不同压力下磁阻值有着显著区别的特点，施加一定强度的磁场，用标定好的WTe₂单晶作为低温下更加精确的压力传感器材料。