[发明专利]一种超薄晶圆片划片刀的修刀方法有效
| 申请号： | 201610165551.2 | 申请日： | 2016-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN105789128B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 杜志民;王一宇;郭立洲;李妍 | 申请（专利权）人： | 河南芯睿电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 新乡市平原专利有限责任公司41107 | 代理人： | 路宽 |
| 地址： | 453003 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄晶圆片划片刀的修刀方法，具体步骤为将厚度为100‑250μm的修刀用晶圆片的正面贴上两层半导体用的保护膜，划片刀修刀时沿着晶圆片的解理面进行划片，采用阶梯升速式进刀速度进行修刀，具体为进刀速度从5mm/s升至40mm/s的过程中，每修30‑50刀提升进刀速度5mm/s，直至进刀速度达到40mm/s并保持至完成修刀。本发明通过调整划片刀修刀工艺，实现了降低产品崩边和裂芯的问题，并且将划片刀的修刀时间大大降低，生产效率和质量均得到大幅提升，同时降低企业生产成本和风险，增加客户满意度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 晶圆片 划片 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄晶圆片划片刀的修刀方法，其特征在于具体步骤为：将厚度为100‑250μm的修刀用晶圆片的正面贴上两层半导体用的保护膜，划片刀修刀时沿着晶圆片的解理面进行划片，采用阶梯升速式进刀速度进行修刀，具体为进刀速度从5mm/s升至40mm/s的过程中，每修30‑50刀提升进刀速度5mm/s，直至进刀速度达到40mm/s并保持至完成修刀，所述的保护膜为蓝膜、UV膜或热缩膜，所述的修刀用晶圆片为生产过程中或试验过程中产生的不合格晶圆片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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