[发明专利]高PID抗性的多晶多层钝化减反射膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种高PID抗性的多晶多层钝化减反射膜及其制备方法，包括刻蚀后多晶硅片进入PECVD炉体后，先通氧气或空气等含氧气体后，再沉积多层钝化减反射膜层，多晶硅片衬底正表面自下而上依次设置且折射率递减的底层SiN_x层、中间层SiN_x层、单层或多层光学优化层SiN_x层以及顶层光学优化层SiO_xN_y层；其总膜厚为70～135nm，总折射率为1.95～2.20。本发明基于传统多晶硅电池工艺，只改变PECVD时的制备方法和钝化减反射膜的膜质结构，可与传统晶硅电池工艺兼容，直接使用普通刻蚀设备和PECVD设备或稍加改造后即可生产。

主权项

一种高PID抗性的多晶多层钝化减反射膜，其特征在于：包括在多晶硅片衬底正表面自下而上依次设置的底层SiN_x层、中间层SiN_x层、单层或多层光学优化层SiN_x层以及顶层光学优化层SiO_xN_y层；所述的底层SiN_x层、中间层SiN_x层、单层或多层光学优化层SiN_x层以及顶层光学优化层SiO_xN_y层的折射率递减；所述的底层SiN_x层、中间层SiN_x层、单层或多层光学优化层SiN_x层以及顶层光学优化层SiO_xN_y层的总膜厚为70～135nm，总折射率为1.95～2.20。