[发明专利]相变化记忆体及其制造方法有效
| 申请号： | 201610168967.X | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN105702858B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吴孝哲;王博文 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种相变化记忆体及其制造方法。制造相变化记忆体的方法包含以下操作：(a)形成堆叠层结构于基材上，堆叠层结构包含第一加热材料层、第二加热材料层以及第一介电层；(b)形成第一凹口贯穿堆叠层结构；(c)形成第一导电接触结构于第一凹口中；(d)图案化堆叠层结构，使堆叠层结构的剩余部分形成第一图案化加热材料层、第二图案化加热材料层以及第一图案化介电层；(e)形成第二凹口贯穿堆叠层结构的剩余部分，第二凹口将第一图案化加热材料层及第二图案化加热材料层断开，而形成第一多层加热元件以及第二多层加热元件；以及(f)形成相变化元件于第二凹口中。在此亦揭露一种相变化记忆体。在此揭露的相变化记忆体具有更高的写入数据速度及可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 加热材料层 堆叠层 相变化记忆体 图案化 凹口 加热元件 多层 制造 导电接触结构 图案化介电层 相变化元件 写入数据 可靠度 贯穿 电层 基材 断开 | ||
【主权项】：
1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含以下操作：(i)形成一图案化堆叠结构于一基材上，其中该图案化堆叠结构包含一第一图案化加热材料层、一第二图案化加热材料层及一图案化导电层夹置在该第一图案化加热材料层及该第二图案化加热材料层之间，其中该第一图案化加热材料层、该第二图案化加热材料层及该图案化导电层各自包含一第一宽部、一第二宽部以及一第一窄部，各该第一窄部桥接各自对应的该第一宽部与该第二宽部；(ii)移除该图案化导电层的该第一窄部，并移除该图案化导电层的该第一宽部及该第二宽部各自的一部分，以形成彼此分离的一第一导电结构及一第二导电结构，其中该第一导电结构夹置在该第一图案化加热材料层的该第一宽部与该第二图案化加热材料层的该第一宽部之间，该第二导电结构夹置在该第一图案化加热材料层的该第二宽部与该第二图案化加热材料层的该第二宽部之间；(iii)形成一第一介电层覆盖该第一图案化加热材料层及该第二图案化加热材料层以及该第一导电结构及该第二导电结构；(iv)移除该第一图案化加热材料层及该第二图案化加热材料层的各该第一窄部的一部分以及移除该第一介电层的一部分，而形成截断各该第一窄部的一第一凹口；以及(v)形成一相变化元件于该第一凹口中。
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