[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201610169955.9 | 申请日: | 2016-03-23 |
公开(公告)号: | CN105742295B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 张慧 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置,该阵列基板包括基底,还包括形成在基底上的公共电极、多行栅线和多个像素电极,各个像素电极与公共电极设置在不同层,每一像素电极与公共电极存在垂直交叠部分;连接到同一行栅线的两个像素电极中,距离栅线第一端较远的像素电极与公共电极的垂直交叠部分的面积小于距离栅线第一端较近的像素电极与公共电极的垂直交叠部分的面积。本发明中,距离栅线第一端较远的像素电极的跳变电压相对于距离栅线第一端较近的像素电极的跳变电压得到较多的补偿,使两个像素电极的跳变电压之间的差距减小,从而减少残像的发生,而且相对于现有技术中增加栅源电容的方式,可以减小阵列基板的功耗。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括基底,还包括形成在所述基底上的公共电极、多行栅线和多个像素电极,各个像素电极与所述公共电极设置在不同层,每一像素电极与所述公共电极存在垂直交叠部分;连接到同一行栅线的两个像素电极中,距离栅线第一端较远的像素电极与所述公共电极的垂直交叠部分的面积小于距离栅线第一端较近的像素电极与所述公共电极的垂直交叠部分的面积,所述第一端为栅线接入栅极驱动信号的一端;连接到同一行栅线的两个像素电极与所述公共电极的垂直交叠部分的面积之差与所述两个像素电极的跳变电压的倒数之差成正比;所述跳变电压为在栅线上的电压从栅线高电压降至栅线低电压时像素电极上产生的压降。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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