[发明专利]一种线性各向异性磁阻传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201610170027.4 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN105866715B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;余尤;苏桦;钟智勇;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种线性各向异性磁阻传感器的制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域。包括以下步骤：a)在基片上制备绝缘层，然后采用光刻工艺曝光出线性各向异性磁阻传感器的单元图形；b)采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，在步骤1处理后的基片上依次沉积铁磁层、反铁磁层，铁磁层和反铁磁层的沉积气压为0.004Pa～0.08Pa，沉积功率为30W～50W，铁磁层的厚度为30～50nm，反铁磁层的厚度为10～15nm；c)制备各向异性磁阻传感器单元电极，得到所述线性各向异性磁阻传感器。本发明采用铁磁/反铁磁双层薄膜作为磁阻薄膜、并在超低气压氛围下溅射磁阻薄膜，可实现扩大线性各向异性磁阻传感器测量范围的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线性 各向异性 磁阻 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种线性各向异性磁阻传感器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在基片上制备绝缘层，然后采用光刻工艺曝光出线性各向异性磁阻传感器的单元图形；步骤2：采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，在步骤1处理后的基片上依次沉积铁磁层、反铁磁层，铁磁层和反铁磁层组成的双层薄膜为传感器的磁阻薄膜，沉积铁磁层和反铁磁层的沉积气压为0.004Pa～0.08Pa，沉积功率为30W～50W，铁磁层的厚度为30～50nm，反铁磁层的厚度为10～15nm；所述外磁场H方向沿磁阻薄膜膜面长轴方向，大小为50Oe～300Oe；步骤3：制备各向异性磁阻传感器单元电极，得到所述线性各向异性磁阻传感器。
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