[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、N型层、发光层、P型层、透明导电薄膜、P型电极、N型电极、以及DBR，N型层、发光层、P型层依次层叠在衬底的第一表面，P型层上设有从P型层延伸到N型层的凹槽，透明导电薄膜和P型电极依次设置在P型层上，N型电极设置在N型层上，DBR设置在衬底的第二表面，第二表面为与第一表面相反的表面，发光二极管芯片还包括依次层叠在DBR上的Ag金属反射层和金属保护层，金属保护层和DBR形成密封空间，Ag金属反射层位于密封空间内。本发明可实现全方位反射，提高发光二极管的发光亮度和发光效率。

主权项

1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底的第一表面依次形成N型层、发光层、P型层，形成外延层；在所述P型层上形成从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽；在所述P型层上形成透明导电薄膜；在所述透明导电薄膜上设置P型电极，在所述N型层上设置N型电极；对所述衬底进行减薄；在所述衬底的第二表面形成分布式布拉格反射镜DBR，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；对所述DBR、所述衬底、以及所述外延层进行切割和分裂，得到相互独立的LED芯片；在所述DBR上形成Ag金属反射层，并将所述Ag金属反射层沿所述LED芯片之间的分割线撕裂，通过胶膜去除所述LED芯片之间的分割线上的Ag金属反射层；在所述Ag金属反射层上沉积金属保护层，并通过扩膜动作将所述金属保护层沿所述LED芯片之间的分割线断开，所述金属保护层和所述DBR形成密封空间，所述Ag金属反射层位于所述密封空间内。