[发明专利]暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线的制备方法

摘要

本发明公开了一种暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线的制备方法，该方法是采用简单的水热法，以乙醇胺与蒸馏水的混合液为溶剂，将Se粉和KBH4、处理好的铜片水热反应后在惰性气体保护下煅烧，即可在铜片表面制备成暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线，其直径为0.23～2.14μm、长度17～420μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好，所制备的暴露{111}晶面立方结构Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线可望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。

主权项

一种暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线的制备方法，其特征在于：以乙醇胺与蒸馏水的体积比为4:1的混合液为溶剂，将Se粉和KBH4按摩尔比为1:1～1.5混合均匀，再加入处理好的铜片，110～200℃水热反应12～24小时，然后将反应产物在惰性气体保护下330～380℃煅烧1～3小时，自然冷却至室温，在铜片表面制备成暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线。