[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201610172712.0 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN107231595A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R19/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述MEMS器件包括基底；振膜，位于所述基底的上方，所述振膜包括石墨烯层；背板，位于所述振膜的上方；空腔，位于所述振膜和所述背板之间。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种MEMS器件，所述器件包括基底；振膜，包括石墨烯层，位于所述半导体衬底上方；背板，位于所述振膜上方；空腔，位于所述振膜和所述背板之间。在本发明中所述振膜选用石墨烯，石墨烯由于其优异的物理、化学性能、电学性能和机械性能使得所述MEMS器件的性能得到进一步的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：基底(201)；振膜(203)，位于所述基底(201)的上方，所述振膜(203)包括石墨烯层；背板(205)，位于所述振膜(203)的上方；空腔，位于所述振膜(105)和所述背板(103)之间。
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