[发明专利]一种基于双栅晶体管的像素电路及其驱动方法

摘要

本申请公开了一种基于双栅晶体管的像素电路及其驱动方法，在一实施例中，所述像素电路包括发光器件OLED、驱动晶体管T1、开关晶体管T2～T5、电容C1和C2，其中所述驱动晶体管T1为双栅晶体管，用于驱动发光器件OLED发光。本申请将像素电路中的驱动晶体管用双栅晶体管代替传统技术中用于实现驱动晶体管的单栅晶体管，并将双栅晶体管的底栅作为主栅使用，从而使用顶栅源的电压来调节驱动晶体管的阈值电压，由于双栅a‑IGZO TFT的稳定性高于单栅器件，其在实现阈值提取和补偿的同时可以达到更好的显示均匀度。

主权项

一种基于双栅晶体管的像素电路，其特征在于，包括：发光器件OLED，所述发光器件OLED的阳极连接于一内部节点B，发光器件OLED的阴极连接于一低电平线VSS；驱动晶体管T1，所述驱动晶体管T1为双栅晶体管，用于驱动所述发光器件OLED发光；所述驱动晶体管T1的底栅极连接于一内部节点A，驱动晶体管T1的顶栅极连接于一内部节点C，驱动晶体管T1的源极连接于所述内部节点B；开关晶体管T2，所述开关晶体管T2的栅极连接于阈值提取控制线VCOM，所述开关晶体管T2的漏极连接于驱动晶体管T1的漏极，开关晶体管T2的源极连接于所述内部节点C；开关晶体管T3，所述开关晶体管T3的栅极连接于扫描控制线VSCAN，开关晶体管T3的漏极连接于数据显示线VDATA，开关晶体管T3的源极连接于所述内部节点A；开关晶体管T4，所述开关晶体管T4的栅极连接于所述扫描控制线VSCAN，开关晶体管T4的漏极连接于一固定电平线VER，开关晶体管T4的源极连接于所述内部节点B；开关晶体管T5，所述开关晶体管T5的栅极连接于发光控制线VEM，开关晶体管T5的漏极连接于高电平线VDD，开关晶体管T5的源极连接于驱动晶体管T1的漏极；电容C1，其连接于所述内部节点A和B之间；电容C2，其连接于所述内部节点B和C之间。