[发明专利]包括面积增加的接触件的半导体器件有效
| 申请号： | 201610176766.4 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106024888B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 尹彰燮;赵纯 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L27/11;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了包括面积增加的接触件的半导体器件。一种半导体器件包括多个有源图案，其从衬底突出并且在衬底上以第一距离和第二距离间隔开。多个选择性外延生长部分中的每一个生长在多个有源图案中的相应一个的上表面上。源极/漏极接触件延伸横跨多个选择性外延生长部分，以保持在多个有源图案中的第一有源图案的顶表面的上方，第一有源图案以多个有源图案中的第一有源图案之间的第一距离彼此间隔开，并且源极/漏极接触件包括延伸部分，该延伸部分朝着衬底延伸至多个有源图案中的两个有源图案的顶表面的下方，该两个有源图案以多个有源图案中的该两个有源图案之间的第二距离间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 面积 增加 接触 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案，它们从衬底突出，第一有源图案与第二有源图案彼此间隔开第一距离，第三有源图案与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离；栅极结构，其与第一有源图案至第三有源图案交叉；第一源极/漏极区、第二源极/漏极区和第三源极/漏极区，它们在栅极结构的第一侧分别布置在第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案上；以及源极/漏极接触件，其与第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案交叉，该源极/漏极接触件共同连接至第一源极/漏极区、第二源极/漏极区和第三源极/漏极区，其中，源极/漏极接触件包括：第一接触表面、第二接触表面和第三接触表面，它们分别与第一源极/漏极区、第二源极/漏极区和第三源极/漏极区接触；以及延伸部分，其延伸至该器件中的比第一接触表面至第三接触表面的水平更低的水平并且布置在第二有源图案与第三有源图案之间，并且其中，延伸部分的侧壁与第二有源图案和第三有源图案的对应侧壁间隔开。
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