[发明专利]TFT及制作方法、阵列基板、显示面板及驱动方法、显示装置有效
| 申请号： | 201610177105.3 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105573000B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张斌;董殿正;张衎;陈鹏名 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;G02F1/133;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种TFT及制作方法、阵列基板、显示面板及驱动方法、显示装置，涉及显示技术领域，为解决显示装置整体功耗大的问题。所述TFT包括衬底基板，在衬底基板上依次层叠设有第一栅极、底层栅极介电层和绝缘层，在绝缘层上设有源极和漏极，在源极、漏极和绝缘层上依次层叠设有顶层栅极介电层、第二栅极和钝化层；第一栅极或第二栅极为光敏材料栅极。本发明提供的TFT、显示面板应用于显示装置中。 | ||
| 搜索关键词： | tft 制作方法 阵列 显示 面板 驱动 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管TFT，其特征在于，包括衬底基板，在衬底基板上依次层叠设有第一栅极、底层栅极介电层和绝缘层，在所述绝缘层上设有源极和漏极，在所述源极、所述漏极和所述绝缘层上依次层叠设有顶层栅极介电层、第二栅极和钝化层；所述第一栅极或所述第二栅极为光敏材料栅极。
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