[发明专利]低功耗低电平唤醒电路有效
| 申请号： | 201610177524.7 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN105843314B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王大伟;王晶;李天放;黄明森;王钊 | 申请（专利权）人： | 航天科技控股集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人： | 张宏威 |
| 地址： | 150060 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 低功耗低电平唤醒电路，属于电路控制领域，本发明为解决传统单片机唤醒电路存在无低电平信号输入之前，静态电流大，静态功耗高的问题。本发明包括PMOS晶体管P1、二极管VD1、电阻R1～R5；PMOS晶体管P1的源极和漏极之间反向并联二极管VD1；PMOS晶体管P1的栅极同时连接电阻R1的一端和电阻R2的一端，电阻R1的另一端和PMOS晶体管P1的源极同时连接电源VCC；电阻R1的另一端接入低电平输入信号；PMOS晶体管P1的漏极连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端同时连接电阻R4的一端和电阻R5的一端；电阻R4的另一端接；电阻R5的另一端作为CPU唤醒信号输出端。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 电平 唤醒 电路 | ||
【主权项】：
低功耗低电平唤醒电路，其特征在于，它包括PMOS晶体管P1、二极管VD1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5；PMOS晶体管P1的源极和漏极之间反向并联二极管VD1；PMOS晶体管P1的栅极同时连接电阻R1的一端和电阻R2的一端，电阻R1的另一端和PMOS晶体管P1的源极同时连接电源VCC；电阻R2的另一端接入低电平输入信号；PMOS晶体管P1的漏极连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端同时连接电阻R4的一端和电阻R5的一端；电阻R4的另一端接地；电阻R5的另一端作为CPU唤醒信号输出端。
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