[发明专利]一种钨钛酸铋铁电薄膜的制备方法有效
申请号: | 201610177743.5 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN105870123B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 高锋;张继豪;吴艳;韦悦周 | 申请(专利权)人: | 广西大学 |
主分类号: | H01L27/11502 | 分类号: | H01L27/11502;H01L23/64;H01L21/02 |
代理公司: | 广西南宁公平知识产权代理有限公司 45104 | 代理人: | 覃现凯 |
地址: | 530004 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 一种钨钛酸铋铁电薄膜,该薄膜材料的化学式为Bi4Ti3‑xWxO12,其中0<x≤0.5。其制备方法的工艺路线为:配制前驱液→制备前驱膜→制备铁电薄膜;该方法以水合硝酸铋、钛酸正四丁酯和异丙醇钨为前驱物,以冰乙酸和二乙醇甲醚的混合溶液为溶剂,以乙酰丙酮为稳定剂配制前驱液,经涂覆后高温焙烧制得光滑致密、厚度均匀、光透性好钨钛酸铋薄膜。这种方法具有易于控制材料组分,便于实现规模化生产的优点。该薄膜具有优良的铁电性能,剩余极化强度高,抗疲劳性能好,与稀土元素掺杂的钛酸铋铁电薄膜相比,该薄膜制备过程不添加任何稀土元素,从而降低薄膜的生产成本,在非易失性铁电存储器领域具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 酸铋 钨钛 制备 薄膜 铁电薄膜 前驱液 配制 非易失性铁电存储器 钛酸铋铁电薄膜 致密 薄膜制备过程 稀土元素掺杂 制备铁电薄膜 钛酸正四丁酯 二乙醇甲醚 规模化生产 抗疲劳性能 水合硝酸铋 薄膜材料 高温焙烧 工艺路线 厚度均匀 混合溶液 控制材料 剩余极化 铁电性能 稀土元素 乙酰丙酮 异丙醇钨 冰乙酸 光透性 前驱膜 前驱物 稳定剂 溶剂 涂覆 光滑 生产成本 应用 | ||
【主权项】:
1.一种钨钛酸铋铁电薄膜的制备方法,该方法为化学溶液沉积法,其特征在于,具体制备步骤如下:(1)前驱液的配制:根据分子式Bi4Ti3‑xWxO12,其中0 < x ≤ 0.5,按摩尔比为五水合硝酸铋:钛酸正四丁酯:异丙醇钨 = 4:3‑x: x称取各原料组分,将称量得到的五水合硝酸铋加入混合溶剂中,所述混合溶剂由冰醋酸和乙二醇甲醚以V乙二醇甲醚:V冰醋酸 = 1~3:1的体积比配制而成,搅拌并加热至40~60℃,保温10~30 min后,降至室温;然后加入上述称量得到的钛酸正四丁酯;再加入乙酰丙酮,乙酰丙酮加入量为钛酸正四丁酯摩尔数的1.5~2.5倍;最后再向溶液中加入上述称量得到的异丙醇钨,室温搅拌,即得到前驱液;(2)将步骤(1)所得的前驱液旋转涂覆在基片上,旋转涂覆速度为2000~4500 r/min,旋转涂覆时间为20~40 s,每涂覆1层,烘烤1~5 min,以除去膜中残余溶剂并分解部分有机物;如此重复5~15次,直至获得所需厚度的前驱膜;(3)将步骤(2)所得的前驱膜进行热处理,所述热处理是在空气中将步骤(2)制备的前驱膜先以1~10℃/min的速率升温到550~720℃,再恒温10~60 min,随炉冷却至室温,制得钨钛酸铋薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的