[发明专利]氮化镓晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201610178228.9 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230711A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/34;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,刘芳 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种氮化镓晶体管及其制作方法。其中，氮化镓晶体管，包括硅衬底层；氮化镓缓冲层，所述氮化镓缓冲层制作于所述硅衬底层表面；氮化铝镓势垒层，所述氮化铝镓势垒层制作于所述氮化镓缓冲层表面；氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层制作于所述氮化铝镓势垒层表面；所述氮化硅钝化层上分别设置有源极、漏极及栅极，所述源极、所述漏极及所述栅极穿透所述氮化硅钝化层并延伸至所述氮化铝镓势垒层表面；其中，所述栅极与所述氮化铝镓势垒层之间设置有用于和氧相关陷阱结合的金属薄层。本发明实施例的氮化镓晶体管及其制作方法，能够改善氮化镓晶体管的电流崩塌效应。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓晶体管，其特征在于，包括：硅衬底层；氮化镓缓冲层，所述氮化镓缓冲层制作于所述硅衬底层表面；氮化铝镓势垒层，所述氮化铝镓势垒层制作于所述氮化镓缓冲层表面；氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层制作于所述氮化铝镓势垒层表面；所述氮化硅钝化层上分别设置有源极、漏极及栅极，所述源极、所述漏极及所述栅极穿透所述氮化硅钝化层并延伸至所述氮化铝镓势垒层表面；其中，所述栅极与所述氮化铝镓势垒层之间设置有用于和氧相关陷阱结合的金属薄层。
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