[发明专利]氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管在审
| 申请号： | 201610178245.2 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230626A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/285;H01L29/45;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 张莲莲,刘芳 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管，方法包括在氮化镓基底上形成钝化层；在所述钝化层中形成欧姆接触电极，所述欧姆接触电极的底部接触所述氮化镓基底，所述欧姆接触电极包括自下而上依次形成的Ti层、AlSi层和Mo层；在所述钝化层中和所述氮化镓基底中形成栅极，所述栅极的底部位于所述氮化镓基底中。根据本发明，可使氮化镓场效应晶体管的表面有更好的形貌，进而能够提高欧姆接触电阻的可靠性，改善氮化镓场效应晶体管的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在氮化镓基底上形成钝化层；在所述钝化层中形成欧姆接触电极，所述欧姆接触电极的底部接触所述氮化镓基底，所述欧姆接触电极包括自下而上依次形成的Ti层、AlSi层和Mo层；在所述钝化层中和所述氮化镓基底中形成栅极，所述栅极的底部位于所述氮化镓基底中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
