[发明专利]氮化镓晶体管和氮化镓晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201610178251.8 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230700A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,刘芳 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化镓晶体管和氮化镓晶体管的制作方法，其中氮化镓晶体管包括硅衬底、在硅衬底上依次形成的氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层和保护层；在保护层中和保护层上形成的源极层、在保护层中和保护层上形成的漏极层、在铝镓氮势垒层和保护层中以及保护层上形成的栅极层；其中，所述保护层包括形成在所述铝镓氮势垒层上的氮化铝层和形成在所述氮化铝层上的氮化硅层。本发明提供的氮化镓晶体管和氮化镓晶体管的制作方法，由于采用了氮化铝层和形成在氮化铝层上的氮化硅层作为保护层，从而可以防止镓氮势垒层表面的陷阱捕获的电子增大铝镓氮势垒层表面的漏电，因而增大了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓晶体管，其特征在于，包括：硅衬底；在所述硅衬底上依次形成的氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层和保护层；在所述保护层中和所述保护层上形成的源极层；在所述保护层中和所述保护层上形成的漏极层；在所述铝镓氮势垒层和所述保护层中以及所述保护层上形成的栅极层；其中，所述保护层包括：形成在所述铝镓氮势垒层上的氮化铝层和形成在所述氮化铝层上的氮化硅层。
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