[发明专利]半导体器件及制造方法在审
| 申请号： | 201610178257.5 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230718A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,刘芳 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及制造方法，包括衬底、位于衬底上的氮化镓GaN层、位于GaN层上的氮化镓铝AlGaN层、开设有栅极接触孔、源极接触孔和漏极接触孔的介质层、栅极、源极、以及漏极；介质层位于AlGaN层的表面上，栅极接触孔位于源极接触孔和漏极接触孔之间；源极和漏极分别包括填充源极接触孔和漏极接触孔的第一金属层，栅极包括填充栅极接触孔的第二金属层；衬底开设有通孔，通孔中填充铜。通过本发明提供的方案，能够有效改善器件的热消散。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的氮化镓GaN层、位于所述GaN层上的氮化镓铝AlGaN层、开设有栅极接触孔、源极接触孔和漏极接触孔的介质层、栅极、源极、以及漏极；所述介质层位于AlGaN层的表面上，所述栅极接触孔位于所述源极接触孔和所述漏极接触孔之间；所述源极和所述漏极分别包括填充所述源极接触孔和所述漏极接触孔的第一金属层，所述栅极包括填充所述栅极接触孔的第二金属层；所述衬底开设有通孔，所述通孔中填充铜。
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