[发明专利]一种基于界面修饰的掺杂聚硅氧烷溶胶减反射膜的制备方法有效
申请号: | 201610178576.6 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN105826404B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 赵炎;魏葳 | 申请(专利权)人: | 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于界面修饰的掺杂聚硅氧烷溶胶减反射膜的制备方法,在基片表面生长减反射膜后,对该减反射膜进行预处理,保证减反射膜上形成羟基基团,接着将生长有减反射膜的基片浸入含有巯基的溶液中,通过分子自组装的方式,在减反射膜形成含巯基的单分子功能层,最后用去离子水冲洗,去除残留的溶剂,吹干。本发明是在减反射膜表面引入单分子功能层,单分子功能层材料的分子链较短,具有一定的刚性,当单分子层均匀的覆盖在材料的表面时,可以封闭振动和能量耗散,且分子间范德华作用力较小,有序性和堆积密度低,进而可以有效提高减反射膜的表面硬度,并提高了减反射膜的透射率,具有明显的增透效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 界面 修饰 掺杂 聚硅氧烷 溶胶 减反射膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于界面修饰的掺杂聚硅氧烷溶胶减反射膜的制备方法,其特征在于:在基片表面生长减反射膜后,对该减反射膜进行预处理,保证减反射膜上形成羟基基团,接着将生长有减反射膜的基片浸入含有巯基的溶液中,羟基与含有巯基的溶液发生水解反应,进而在减反射膜表面通过分子自组装的方式形成含巯基的单子功能层,最后用去离子水冲洗,去除残留的溶剂,吹干。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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